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onsemi FDS6900AS
| Artikelnummer: | FDS6900AS |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 30V 6.9A/8.2A 8SOIC |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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onsemi FDS6900AS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FDS6900AS.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse 8-SOIC Serie PowerTrench®, SyncFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 6.9A, 10V Leistung - max 900mW Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V FET-Merkmal Logic Level Gate Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.9A, 8.2A Konfiguration 2 N-Channel (Dual) Grundproduktnummer FDS69 FDS6900AS Einzelheiten PDF [English] FDS6900AS PDF - EN.pdf -
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